2012年LED封装技术四大发展趋势

   2012-05-08 铁艺资讯大全张小姐4600

LED封装技能当前首要往高发光效率、高牢靠性、高散热才能与薄型化四个偏向开展,当前首要的亮点有:硅基LED、COB封装技能、覆晶型LED芯片封装、高压LED。并将经过2012上海国际新光源 新动力照明博览会暨论坛(Green Lighting Shanghai 2012)这一威望性、专业性和国际化交流平台呈献给行业人士。

硅基LED之所以惹起业界越来越多的存眷,是由于它比传统的蓝宝石基底LED的散热才能更强,因而功率可做得更大,Cree就重点在开展硅基LED,它当前存在的首要问题是良率还较低,招致本钱还偏高。

COB光源出产本钱相对较低,散热功用分明,而且具有高封装密度和凌驾光密度的特征,易于进行特性化设计,是将来封装开展的主导偏向之一。当前存在的问题是COB在降低一次光学透镜的屡次折射而形成的出光损掉,因而在出光效率和热能添加方面仍待改善,基板的制造良率也有待提拔。

覆晶型LED芯片封装是业界竭力开展的目的之一。覆晶型芯片的制造较立体型简略很多,且可避失落复杂工艺,使得量产可行性大幅提拔,加上后端芯片工艺辅佐,搭配上eutectic固晶方法,大大简化了覆晶型芯片封装的技能门坎,在将来节能减碳的驱动下,覆晶型芯片封装会是很好的处理方案。

高压LED的封装也是一大重点。高压产物的问世,就是以全新的思想处理固态照明因降压电路的存在而形成多余能量耗损的问题,并进而协助终端消费者降低购置本钱,使得分歧区域在分歧的电压操作前提下,都能获得疾速且便利的使用。

 
LED
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